Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT150DH170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174 | Нет | Tube | ||||||||||||||
APTGT20H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052 | Нет | SP1-12 | Tube | |||||||||||||
APTGV50H60BT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | |||||||||||||||
STGIB10CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB20M60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB8CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP2F-26L | + 175 C | Tube | |||||||||||
STGIF7CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | SDIP2F-26 | ||||||||||||||
STGIPL30C60-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 30 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | ||||||||||||||
STGIPQ3H60T-HL | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 3 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||||
STGIPQ3H60T-HLS | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | |||||||||||||||
STGIPQ3H60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 3 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||||
STGIPQ3H60T-HZS | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | |||||||||||||||
STGIPQ5C60T-HL | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||||
STGIPQ5C60T-HLS | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | |||||||||||||||
STGIPQ5C60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Half Bridge | 600 V | 2.15 V | 5 A | N2DIP-26 | + 175 C | Tube | |||||||
STGIPS10C60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 33 W | SDIP-25 | + 125 C | Tray | ||||||
STGIPS10C60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP-25 | Bulk | ||||||||||||
STGIPS15C60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP-25 | Bulk | ||||||||||||
STGIPS20C60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | ||||||||||||||
FAM65V05DF1 | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HEV Automotive Power Modules | Нет | AEC-Q101 | Tube | |||||||||||||
FNE41060 | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 10A SPM45 FAST VERSN WITHOUT NTC FUNCTION | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.7 V | 10 A | 34 W | SPMAA-A26 | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »