Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по убываниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APT100GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V153 A600 nA446 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT100GT120JU2Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN120JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.7 V215 A600 nA625 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT150GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V220 A600 nA536 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT150GT120JRMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.2 V170 A900 nA830 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT200GN60JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT200GN60JDQ4Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V283 A600 nA682 WSOT-227-4- 55 C+ 175 CTube
APT46GA90JD40Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules900 V2.5 V87 A100 nA284 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120JRDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV2.5 V120 A100 nA521 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT60GA60JD60Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules600 V2 V112 A100 nA356 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GP120JMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.3 V128 A100 nA543 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT75GP120JDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV3.3 V128 A100 nA543 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APTGL240TL120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.8 V305 A1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGL60TL120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.8 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205НетIGBT Silicon Modules1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V150 A400 nA340 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DH170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174НетTube
APTGT150TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V200 A400 nA480 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V300 A800 nA652 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT20H60T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052НетSP1-12Tube
APTGT20TL601GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8093НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V32 A300 nA62 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT300TL65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220НетIGBT Silicon Modules650 V1.5 V400 A800 nA935 WSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы