Всего результатов: 1300
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT100GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 153 A | 600 nA | 446 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT100GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT150GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT150GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.7 V | 215 A | 600 nA | 625 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT150GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT150GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 220 A | 600 nA | 536 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT150GT120JR | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.2 V | 170 A | 900 nA | 830 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT200GN60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 200A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT200GN60JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | 682 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
APT46GA90JD40 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 900 V | 2.5 V | 87 A | 100 nA | 284 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 2.5 V | 120 A | 100 nA | 521 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT60GA60JD60 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | 112 A | 100 nA | 356 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GP120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GP120JDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APTGL240TL120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6223 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 305 A | 1 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||||
APTGL60TL120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 1.8 V | 80 A | 400 nA | 280 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT100TL170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT100TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3081 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT150DH170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6174 | Нет | Tube | ||||||||||||||
APTGT150TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 200 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT200TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 A | 800 nA | 652 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT20H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8052 | Нет | SP1-12 | Tube | |||||||||||||
APTGT20TL601G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8093 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 32 A | 300 nA | 62 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT300TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6182 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT300TL65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6220 | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 400 A | 800 nA | 935 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »