Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. сортировать по убываниюНапряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS10R12YE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesTray
FS150R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FS150R12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FS150R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS150R17N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS150RE12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS200R07N3E4R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетTray
FS200R12KT4RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FS200R12KT4R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1200VНетTray
FS20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600VНетTray
FS20R06XE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26AДаIGBT Silicon ModulesTray
FS225R12OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS225R12OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS225R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225AДаTray
FS225R17OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS225R17OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS25R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200VНетTray
FS300R12OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS300R12OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS300R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300AДаTray
FS300R17OE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS300R17OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS30R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600VНетTray
FS35R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200VНетTray
FS3L50R07W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray

Страницы