Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF600R12IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12IP4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4A_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4CP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4CP_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R12ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R17ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF600R17ME4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R17ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF600R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF650R17IE4DP_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF650R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF650R17IE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF650R17IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF800R17KP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 900 A | 400 nA | 5.1 kW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FF900R12IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 900 A | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||||
FF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP06R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP100R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »