Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по убываниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF600R12IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12IP4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4A_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4CPInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4CP_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF600R12ME4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF600R12ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF600R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200VНетTray
FF600R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTCНетTray
FF600R17ME4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF600R17ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF600R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact TechnologyНетTray
FF650R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF650R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650AДаTray
FF650R17IE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF650R17IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF800R17KP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800AДаTray
FF900R12IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.05 V900 A400 nA5.1 kW- 40 C+ 150 CTray
FF900R12IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900AДаIGBT Silicon Modules1200 V900 APRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF900R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF900R12IP4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FP06R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP100R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray

Страницы