Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF150R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 200 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF150R17ME3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 240 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF200R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 260 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FF200R12KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||||
FF200R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 295 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF200R12KT3_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF200R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 320 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FF200R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 390 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF200R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF225R12ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 325 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF225R12MS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 275 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF225R17ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 340 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF225R17ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF225R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF300R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 400A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 400 A | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FF300R06KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF300R12KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480A | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||||
FF300R12KE4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF300R12KE4_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF300R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 480 A | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF300R12KT3_E | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF300R12ME3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 500 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FF300R12ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF300R12MS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 370 A | Econo D | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »