Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности сортировать по убываниюУпаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF150R12KE3_B8Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FF150R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V200 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FF150R17ME3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V240 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF200R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260AНетIGBT Silicon ModulesDual600 V260 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF200R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF200R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V295 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF200R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V320 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF200R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V390 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF225R12ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V325 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF225R12MS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V275 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF225R17ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V340 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF225R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225AДаTray
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700VНетTray
FF300R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 400AДаIGBT Silicon ModulesDual600 V400 A62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF300R06KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300AДаTray
FF300R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF300R12KE4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF300R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V480 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12ME3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V500 AEcono D- 40 C+ 125 CTray
FF300R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
FF300R12MS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V370 AEcono D- 40 C+ 125 CTray

Страницы