Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура сортировать по убываниюКвалификация Упаковка
FF900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF900R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF900R12IP4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FP06R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP100R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FP100R07N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FP10R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600VНетTray
FP10R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP10R12W1T4_B29Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FP10R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP10R12YT3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP150R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FP150R07N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FP15R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600VНетTray
FP15R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleНетTray
FP20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600VНетTray
FP25R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP30R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600VНетTray
FP30R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30AДаTray
FP35R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35AДаTray
FP50R06W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50AДаTray
FP50R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray
FP50R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray

Страницы