Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.Партномерсортировать по убываниюПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGLQ200H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V350 A340 nA1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ200H65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC6254Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V270 A300 nA680 WSP6- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ200HR120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V300 A, 150 A480 nA, 400 nA1 kW, 340 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ25H120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8121Нет-IGBT Silicon ModulesQuad1200 V2.05 V50 A150 nA165 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ25H120T2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC20011Нет-IGBT Silicon ModulesQuad1200 V2.05 V50 A150 nA165 WSP2- 40 C+ 125 CBulk
APTGLQ300A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6253Нет-IGBT Silicon ModulesDual1200 V2.05 V500 A480 nA1500 WSP6- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ300H65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6229НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge650 V1.85 V385 A500 nA1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ300SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6255Нет-IGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.05 V500 A480 nA1500 WSP6- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ30H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3209Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.95 V40 A300 nA95 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ400A120T6GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6230НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV2.05 V625 A680 nA1.9 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ40H120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8102НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V75 A120 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ40HR120CT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3166НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V75 A, 80 A120 nA, 600 nA250 W, 176 WSP3F-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ50DDA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3213Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50H65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8128Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3211Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50TL65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3212Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ50VDA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3215Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V70 A150 nA175 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ600A65T6GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V770 A1 uA2 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ75H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3167НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V130 A150 nA385 WSP1-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ75H120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144Нет-IGBT Silicon ModulesQuad1200 V2.05 V130 A150 nA385 WSP4- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ75H65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge650 V1.85 V100 A200 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ80HR120CT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3176НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V150 A, 100 A240 nA, 600 nA500 W, 250 W- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3135НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA595 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4094НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V150 A400 nA560 WSP4- 40 C+ 100 CTube

Страницы