Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C сортировать по убываниюТок утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF150R12KE3G_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF150R12KE3_B8Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FF200R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF225R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225AДаTray
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700VНетTray
FF300R06KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300AДаTray
FF300R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF300R12KE4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF300R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
FF300R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетTray
FF300R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300AДаTray
FF300R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетTray
FF400R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400AДаTray
FF450R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF450R12ME4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF450R12ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF450R12ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200VНетTray
FF450R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450AДаTray
FF450R17ME4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF450R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700VНетTray
FF600R12IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray

Страницы