Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FD1200R17HP4-K_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD1400R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400A | Да | Tray | ||||||||||||||
FD150R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | Нет | 1200 V | 2.15 V | 150 A | 100 nA | 790 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FD1600/1200R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FD250R65KE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | Да | Tray | ||||||||||||||
FD400R07PE4R_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FD400R12KE3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module | Да | Tray | ||||||||||||||
FD500R65KE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FD600R06ME3_S2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A | Да | Tray | ||||||||||||||
FD800R17HP4-K_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FD900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Да | Tray | ||||||||||||||
FD900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF1000R17IE4DP_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF1000R17IE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF100R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2 V | 100 nA | 555 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FF1200R17KP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A | Да | Tray | ||||||||||||||
FF1400R12IP4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF1400R17IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V | Нет | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.2 V | 1400 A | 400 nA | 9.55 kW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FF1400R17IP4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A | Да | IGBT Silicon Modules | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »