Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по убываниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FD1200R17HP4-K_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700VНетTray
FD1400R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400AДаTray
FD150R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AНет1200 V2.15 V150 A100 nA790 W- 40 C+ 150 CTray
FD1600/1200R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700VНетTray
FD200R12PT4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD250R65KE3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500VНетTray
FD300R07PE4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетTray
FD300R12KS4_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FD400R07PE4R_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD400R12KE3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleДаTray
FD500R65KE3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD600R06ME3_S2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600VНетTray
FD650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650AДаTray
FD800R17HP4-K_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700VНетTray
FD900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AДаTray
FD900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000AДаTray
FF1000R17IE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF100R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & DiodeНетIGBT Silicon Modules1200 V2 V100 nA555 W- 40 C+ 150 CTray
FF1200R17KP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AДаTray
FF1400R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF1400R17IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700VНетIGBT Silicon Modules1700 V2.2 V1400 A400 nA9.55 kW- 40 C+ 150 CTray
FF1400R17IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF150R12KE3G_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AДаIGBT Silicon ModulesTray

Страницы