Всего результатов: 1300
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGK50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK55N120A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 125 A | 100 nA | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGK64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||||
IXGX64N60B3D1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | TO-264-3 | Tube | |||||||||||||
IXGT32N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Нет | Single | 1.2 kV | 75 A | 100 nA | 300 W | TO-268 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGT72N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
IXGT72N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 B3-Class IGBTs | Нет | TO-268-3 | Tube | |||||||||||||
MIXA150Q1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Нет | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA150R1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Да | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA60HU1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Нет | 1.2 kV | 85 A | 500 nA | 290 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MIXA80R1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Boost/Brake Module XPT IGBT | Нет | Single | 1.2 kV | 1.9 V | 120 A | 500 nA | 390 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MDI150-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 180 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MDI200-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 270 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MDI300-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 330 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MDI550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 670 A | Y3-DCB | + 150 C | Bulk | ||||||||
MID200-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 270 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MID550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.3 V | 670 A | 1.6 uA | 2.75 kW | Y3-DCB-10 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MID150-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 180 A | 400 nA | 760 W | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MID300-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 330 A | 800 nA | 1.38 kW | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MDI75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 90 A | Y4-M5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MDI100-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | 560 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MDI145-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | 700 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MID100-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | 560 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MID145-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | 700 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MID75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 90 A | 200 nA | 370 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk |