Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
IXGK50N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/DiodeНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.6 V95 A100 nATO-264-3- 55 C+ 150 CTube
IXGK55N120A3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ DiodeДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V125 A100 nATO-264-3- 55 C+ 150 CTube
IXGK64N60B3D1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ DiodeНет600 V600 V100 nA460 WTO-264-3- 55 C+ 150 CTube
IXGX64N60B3D1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ DiodeНетTO-264-3Tube
IXGT32N120A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTsНетSingle1.2 kV75 A100 nA300 WTO-268- 55 C+ 150 CTube
IXGT72N60A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTsДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.35 V75 A100 nATO-268-3- 55 C+ 150 CBulk
IXGT72N60B3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 B3-Class IGBTsНетTO-268-3Tube
MIXA150Q1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleНетSingle1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA150R1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleДаSingle1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA60HU1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleНет1.2 kV85 A500 nA290 WV1-A-Pack- 40 C+ 150 CBulk
MIXA80R1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Boost/Brake Module XPT IGBTНетSingle1.2 kV1.9 V120 A500 nA390 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MDI150-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V180 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI200-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V270 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI300-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V330 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MDI550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V670 AY3-DCB+ 150 CBulk
MID200-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V270 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MID550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.3 V670 A1.6 uA2.75 kWY3-DCB-10- 40 C+ 150 CBulk
MID150-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV180 A400 nA760 WY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MID300-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV330 A800 nA1.38 kWY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MDI75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V90 AY4-M5- 40 C+ 150 CBulk
MDI100-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV135 A300 nA560 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MDI145-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV160 A400 nA700 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID100-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV135 A300 nA560 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID145-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV160 A400 nA700 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV90 A200 nA370 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk

Страницы