Всего результатов: 1300
Страницы
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXGR6N170A | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Voltage IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 5.4 V | 5.5 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGR72N60A3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode | Нет | 600 V | 600 V | 75 A | 100 nA | 200 W | ISOPLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGR72N60B3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 80 A | 100 nA | TO-247AD-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGT32N120A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 1200V IGBTs | Нет | Single | 1.2 kV | 75 A | 100 nA | 300 W | TO-268 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXGT72N60A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
IXGX320N60B3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs | Нет | Single | 600 V | 600 V | 500 A | 400 nA | 1.7 kW | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXGX50N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.6 V | 95 A | 100 nA | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | ||||||
IXXN110N65C4H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 650 V | 1.98 V | 210 A | 100 nA | 750 W | SOT-227B-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
IXXN200N60C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT 600V IGBT 98A | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.6 V | 200 A | 200 nA | SOT-227B-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXYN30N170CV1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single Dual Emitter | 1700 V | 3 V | 88 A | 100 nA | 680 W | Module | - 55 C | + 175 C | Tube | ||||
IXYN80N90C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 900 V | 2.7 V | 115 A | 100 nA | SOT-227 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 220 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.9 V | 92 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MMIX4G20N250 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 2.5 kV | 3.1 V | 23 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 127 A | 440 nA | 625 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
VS-GB150YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 182 A | 440 nA | 892 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | |||||
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC20KDSTRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | Нет | Single | 600 V | 16 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30KDSTRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23A | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30KDSTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | Нет | Single | 600 V | 28 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC30W-STRLP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 23AD2PAK | Нет | Single | 600 V | 23 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BC40W-STRRP | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 40AD2PAK | Нет | Single | 600 V | 40 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT | Нет | Single | 1200 V | 11 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||||||
IRG4RC10KDTRPBF | Infineon / IR | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 8.500A | Нет | Single | 600 V | 9 A | DPAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel | ||||||||
IRGS10B60KDTRRP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES | Нет | Single | 600 V | 22 A | D-PAK-3 | - 55 C | + 150 C | Cut Tape, MouseReel, Reel |