Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по возрастаниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MIXA80WB1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНет1.2 kV120 A500 nA390 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA81H1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H BridgeДаHalf Bridge1.2 kV1.8 V120 A500 nA390 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA81WB1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V90 A, 120 A500 nA290 W, 390 WE3-Pack- 40 C+ 150 CBulk
MKI100-12F8IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon Modules1.2 kV125 A600 nA640 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MKI50-06A7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V72 A200 nA225 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI50-12F7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesBulk
MKI75-06A7IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V90 A200 nA280 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesQuad600 V600 V90 A200 nA280 WE2-12- 40 C+ 150 CBulk
MKI80-06T6KIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesBulk
MMIX4G20N250IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARDНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge2.5 kV3.1 V23 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MWI25-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V50 AE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MWI30-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V600 V45 A200 nA140 WE2-18- 40 C+ 150 CBulk
MWI50-12A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V85 AE2- 40 C+ 150 CBulk
MWI75-06A7TIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V90 AE2- 40 C+ 150 CBulk
VII130-06P1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600VНетIGBT Silicon ModulesDual600 V121 AECO-PAC 2- 40 C+ 150 CBulk
VUB120-16NOXIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitДаBulk
VUB120-16NOXTIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitДаBulk
VUB145-16NOXTIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBTНетBulk
VUB160-16NOXIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake UnitНетBulk
VS-100MT060WSPVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3НетFull Bridge600 V2.14 V107 A200 nA403 WMTP+ 150 C
VS-ETF075Y60UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level InverterНетIGBT Silicon ModulesDual600 V109 A200 nA, 400 nA294 W- 40 C+ 150 C
VS-ETF150Y65NVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-BridgeНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge650 V1.7 V201 A600 nA600 WEMIPAK-2B+ 175 CTube
VS-ETF150Y65UVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - EMIPAK SWITCHНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge650 V1.72 V, 1.75 V142 A, 201 A600 nA417 W, 600 WEMIPAK-2B+ 175 C
VS-GA300TD60SVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBTНетHalf Bridge600 V1.24 V530 A200 nA1.136 kWINT-A-PAK- 40 C+ 150 C
VS-GB100YG120NTVishay SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBTНетIGBT Silicon Modules4-Pack1200 V127 A440 nA625 WECONO3- 55 C+ 150 CBulk

Страницы