Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MIXA80WB1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Нет | 1.2 kV | 120 A | 500 nA | 390 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||||
MIXA81H1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H Bridge | Да | Half Bridge | 1.2 kV | 1.8 V | 120 A | 500 nA | 390 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA81WB1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 90 A, 120 A | 500 nA | 290 W, 390 W | E3-Pack | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MKI100-12F8 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 125 A | 600 nA | 640 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||||
MKI50-06A7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 72 A | 200 nA | 225 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MKI50-12F7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | |||||||||||||
MKI75-06A7 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 90 A | 200 nA | 280 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MKI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Quad | 600 V | 600 V | 90 A | 200 nA | 280 W | E2-12 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MKI80-06T6K | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Bulk | |||||||||||||
MMIX4G20N250 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 2.5 kV | 3.1 V | 23 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MWI25-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 50 A | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||||
MWI30-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 600 V | 45 A | 200 nA | 140 W | E2-18 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MWI50-12A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 85 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MWI75-06A7T | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 90 A | E2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VII130-06P1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 121 A | ECO-PAC 2 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
VUB120-16NOX | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit | Да | Bulk | ||||||||||||||
VUB120-16NOXT | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit | Да | Bulk | ||||||||||||||
VUB145-16NOXT | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 Phase Rectifier Bridge w/ IGBT | Нет | Bulk | ||||||||||||||
VUB160-16NOX | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Standard Rectifier Bridge+Brake Unit | Нет | Bulk | ||||||||||||||
VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - MTP SWITCH-e3 | Нет | Full Bridge | 600 V | 2.14 V | 107 A | 200 nA | 403 W | MTP | + 150 C | |||||||
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75A Half Bridge 3 Level Inverter | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 109 A | 200 nA, 400 nA | 294 W | - 40 C | + 150 C | |||||||
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.7 V | 201 A | 600 nA | 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | Tube | |||||
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - EMIPAK SWITCH | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 650 V | 1.72 V, 1.75 V | 142 A, 201 A | 600 nA | 417 W, 600 W | EMIPAK-2B | + 175 C | ||||||
VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - DIAP IGBT | Нет | Half Bridge | 600 V | 1.24 V | 530 A | 200 nA | 1.136 kW | INT-A-PAK | - 40 C | + 150 C | ||||||
VS-GB100YG120NT | Vishay Semiconductors | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SW Mod - ECONO IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 4-Pack | 1200 V | 127 A | 440 nA | 625 W | ECONO3 | - 55 C | + 150 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »