Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по убываниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FZ400R33KL2C_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 750AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Collector Dual Emitter3300 V750 AIHV73- 40 C+ 125 CTray
STGE200NB60SSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150AmpНетSingle Dual Emitter600 V1.2 V200 A100 nA600 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
BSM200GA170DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400AДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V400 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM400GA120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V2.1 V625 A400 nA2500 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R12KS4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-Module/ IGBT-inverterНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1200 V510 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
FZ400R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 620AНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V620 A62 mm- 40 C+ 125 CTray
IXXN110N65C4H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPTНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter650 V1.98 V210 A100 nA750 WSOT-227B-4- 55 C+ 175 CTube
IXYN30N170CV1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V/85A High Voltage XPT IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle Dual Emitter1700 V3 V88 A100 nA680 WModule- 55 C+ 175 CTube
FS450R17OE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon ModulesSix-Pack1700 V1.95 V450 A400 nA20 mW- 40 C+ 150 CTray
FS75R07U1E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon ModulesSix-Pack650 V1.55 V100 A100 nA275 WSmartPACK1- 40 C+ 150 CTray
MIEB100W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIEB101W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA100W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНетSix-Pack1.2 kV1.8 V155 A500 nA500 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA10W1200TMLIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V17 A500 nA65 WE1-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA150W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНетSix-Pack1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA151W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA20W1200MCIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V28 A500 nA100 WECO-PAC2- 40 C+ 125 CBulk
MIXA20W1200TMHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V28 A500 nA100 WMini- 40 C+ 125 CBulk
MIXA20W1200TMLIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V28 A500 nA100 WE1-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA30W1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V43 A500 nA150 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA30W1200TMHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V43 A500 nA150 WMini- 40 C+ 125 C
MIXA30W1200TMLIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V43 A500 nA150 WE1-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA40W1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V60 A500 nA195 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA40W1200TMHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V XPT Six Pack XPT Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаSix-Pack1.2 kV1.8 V60 A500 nA195 WMini- 40 C+ 125 C
MIXA60W1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTНетSix-Pack1.2 kV1.8 V85 A500 nA290 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk

Страницы