Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT600DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6117 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600DU60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6140 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT600SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6082 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 700 A | 800 nA | 2.3 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGL120TDU120TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 1.2 kV | 1.8 V | 140 A | 600 nA | 517 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGLQ100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4143 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 520 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4145 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.05 V | 250 A | 240 nA | 750 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGLQ75H120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4144 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 1200 V | 2.05 V | 130 A | 150 nA | 385 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGT100A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4094 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4084 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4121 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4127 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4123 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4102 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 150 A | 400 nA | 340 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4098 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 400 nA | 560 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150A120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT150DH60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4108 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4104 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP4 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT150H60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 480 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200DU60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4135 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT300A60TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4109 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 430 A | 500 nA | 935 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4076 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DA120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4132 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4090 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »