Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по возрастаниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGL475SK120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7084НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A400 nA2.08 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7072НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A2.082 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGL475U120DAGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6171НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V610 A2.307 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGL60DDA120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3097НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL60H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3142НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.85 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL60TL120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3088НетIGBT Silicon Modules1.2 kV1.8 V80 A400 nA280 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL700DA120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7086НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V840 A800 nA3 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL700SK120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7087НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V840 A800 nA3 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGL700U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7070НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.8 V910 A3 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGL90A120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8086НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DA120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8109НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DDA120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3136НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL90DSK120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3174НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGL90H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3096НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.85 V110 A600 nA385 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ100A65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8101НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V135 A150 nA350 WSP1-12- 40 C+ 125 CTube
APTGLQ200H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6228НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V350 A340 nA1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ200HR120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214НетIGBT Silicon ModulesDual Common Emitter1.2 kV, 600 V2.05 V, 1.5 V300 A, 150 A480 nA, 400 nA1 kW, 340 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ300H65GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6229НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge650 V1.85 V385 A500 nA1 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ400A120T6GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6230НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV2.05 V625 A680 nA1.9 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ40H120T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8102НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V75 A120 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ600A65T6GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V770 A1 uA2 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ75H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3167НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV2.05 V130 A150 nA385 WSP1-32- 40 C+ 100 CTube
APTGLQ75H65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge650 V1.85 V100 A200 nA250 WSP1-12- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120T3AGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3135НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA595 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT100A120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC4101НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP4- 40 C+ 100 CTube

Страницы