Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FD800R17HP4-K_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700VНетTray
FD900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AДаTray
FD900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000AДаTray
FF1000R17IE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF100R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & DiodeНетIGBT Silicon Modules1200 V2 V100 nA555 W- 40 C+ 150 CTray
FF1200R17KP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AДаTray
FF1400R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF1400R17IP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700VНетIGBT Silicon Modules1700 V2.2 V1400 A400 nA9.55 kW- 40 C+ 150 CTray
FF1400R17IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF150R12KE3G_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF150R12KE3_B8Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FF200R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF225R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 225AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V225 A400 nA1050 W- 40 C+ 150 CTray
FF225R17ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225AДаTray
FF225R17ME4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700VНетTray
FF300R06KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300AДаTray
FF300R12KE3_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480AДаIGBT Silicon ModulesTray
FF300R12KE4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12KE4_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF300R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FF300R12ME4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V1.75 V450 A0.4 uA1.6 kW- 40 C+ 125 CTray

Страницы