Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FD300R07PE4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетTray
FD300R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A CHOPPERДаSingle1200 V1.7 V300 A400 nA1470 WIS5a ( 62 mm )-5- 40 C+ 125 CTray
FD300R12KS4_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300AДаTray
FD400R07PE4R_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD400R12KE3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleДаTray
FD400R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A CHOPPERДаSingle330 V3.4 V400 A400 nA4.8 kWIHM 130X140-7- 40 C+ 125 CTray
FD500R65KE3-KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FD600R06ME3_S2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600VНетTray
FD650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650AДаTray
FD800R17HP4-K_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700VНетTray
FD900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AДаTray
FD900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4DP_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000AДаTray
FF1000R17IE4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF1200R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A IGBT ModuleДаDual1200 V1.7 V1200 A400 nA5 kWIHM 130X140-10- 40 C+ 125 CTray
FF1200R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A DUALДаDual1700 V2 V1600 A400 nA5.95 kWIHM130-10- 40 C+ 125 CTray
FF1200R17KP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AДаTray
FF1400R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF1400R17IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF150R12KE3_B8Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FF200R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALДаDual1200 V1.7 V200 A400 nA1.05 kWIS5a ( 62 mm )-7- 40 C+ 125 CTray
FF200R12KT3_EInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF200R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FF200R33KF2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A DUALДаDual3300 V3.4 V330 A400 nA2.2 kWIHM 73X140-8- 40 C+ 125 CTray

Страницы