Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT50GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0108 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.85 V | 80 A | 150 nA | 220 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||
APT50GP60JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | 329 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GR120B2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 117 A | 250 nA | 694 W | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GR120L | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 117 A | 250 nA | 694 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0052 | Нет | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 500 nA | 347 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0053 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 500 nA | 347 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT60GA60JD60 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | 112 A | 100 nA | 356 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT60GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 149 A | 100 nA | 625 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT65GP60JDQ2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 65A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 130 A | 100 nA | 431 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GP120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GP120JDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 3.3 V | 128 A | 100 nA | 543 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT75GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0068 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | 416 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT75GT120JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0069 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 100 A | 500 nA | 416 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60B2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 100 A | 100 nA | 1.041 kW | T-Max-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 151 A | 100 nA | 462 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT80GP60JDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 2.2 V | 151 A | 100 nA | 462 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120B2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAX | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 170 A | 250 nA | 962 W | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 118 A | 250 nA | 595 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120JD60 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 85A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 118 A | 250 nA | 595 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT85GR120L | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-264 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 3.5 V | 170 A | 250 nA | 962 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
STGE200NB60S | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp | Нет | Single Dual Emitter | 600 V | 1.2 V | 200 A | 100 nA | 600 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
BSM50GX120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 200 nA | 400 W | - 55 C | + 150 C | Tray | |||||
IXA20PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 130 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA20RG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 32 A | 500 nA | 125 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||
IXA30PG1200DHGLB-TRR | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.9 V | 43 A | 500 nA | 150 W | SMPD-9 | - 55 C | + 150 C | Reel |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »