Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MDI550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 670 A | Y3-DCB | + 150 C | Bulk | ||||||||
MDI75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 90 A | Y4-M5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MID100-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | 560 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MID145-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | 700 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MID150-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 180 A | 400 nA | 760 W | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MID200-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 270 A | Y3-DCB | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||||
MID300-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 330 A | 800 nA | 1.38 kW | Y3-DCB-5 | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
MID550-12A4 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.3 V | 670 A | 1.6 uA | 2.75 kW | Y3-DCB-10 | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
MID75-12A3 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 90 A | 200 nA | 370 W | Y4-M5-7 | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIEB100W1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 183 A | 200 nA | 630 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIEB101H1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H Bridge | Да | Half Bridge | 1.2 kV | 1.8 V | 183 A | 200 nA | 630 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIEB101W1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 183 A | 200 nA | 630 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MMIX1G120N120A3V1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 220 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MMIX1Y100N120C3H1 | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 2.9 V | 92 A | 100 nA | SMPD-24 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
MIXA100W1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Нет | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 155 A | 500 nA | 500 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA101W1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBT | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.8 V | 155 A | 0.03 mA | 500 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MIXA10W1200TML | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack XPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 17 A | 500 nA | 65 W | E1-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA10WB1200TED | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter Module | Нет | 1.2 kV | 17 A | 500 nA | 60 W | E2-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||||
MIXA10WB1200TMH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter Module | Да | 3-Phase | 1.2 kV | 1.8 V | 17 A | 500 nA | 63 W | Mini | - 40 C | + 125 C | ||||||
MIXA10WB1200TML | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter Module | Нет | 1.2 kV | 17 A | 500 nA | 63 W | E1-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||||
MIXA150Q1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Нет | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA150R1200VA | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Module | Да | Single | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | V1-A-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA150W1200TEH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBT | Нет | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA151W1200EH | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 220 A | 500 nA | 695 W | E3-Pack | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
MIXA20W1200MC | IXYS | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBT | Да | Six-Pack | 1.2 kV | 1.8 V | 28 A | 500 nA | 100 W | ECO-PAC2 | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »