Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по возрастаниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
MDI550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V670 AY3-DCB+ 150 CBulk
MDI75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V90 AY4-M5- 40 C+ 150 CBulk
MID100-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV135 A300 nA560 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID145-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 145 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV160 A400 nA700 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MID150-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV180 A400 nA760 WY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MID200-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V270 AY3-DCB- 40 C+ 150 CBulk
MID300-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV330 A800 nA1.38 kWY3-DCB-5- 40 C+ 150 CBulk
MID550-12A4IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.3 V670 A1.6 uA2.75 kWY3-DCB-10- 40 C+ 150 CBulk
MID75-12A3IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV90 A200 nA370 WY4-M5-7- 40 C+ 125 CBulk
MIEB100W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIEB101H1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H BridgeДаHalf Bridge1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIEB101W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V183 A200 nA630 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MMIX1G120N120A3V1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceНетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.85 V220 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MMIX1Y100N120C3H1IXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power DeviceДаIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV2.9 V92 A100 nASMPD-24- 55 C+ 150 CTube
MIXA100W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНетSix-Pack1.2 kV1.8 V155 A500 nA500 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA101W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.8 V155 A0.03 mA500 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA10W1200TMLIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V17 A500 nA65 WE1-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA10WB1200TEDIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter ModuleНет1.2 kV17 A500 nA60 WE2-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA10WB1200TMHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter ModuleДа3-Phase1.2 kV1.8 V17 A500 nA63 WMini- 40 C+ 125 C
MIXA10WB1200TMLIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Converter-Brake Inverter ModuleНет1.2 kV17 A500 nA63 WE1-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA150Q1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleНетSingle1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA150R1200VAIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT ModuleДаSingle1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WV1-A-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA150W1200TEHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six Pack SPT IGBTНетSix-Pack1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA151W1200EHIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack SPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V220 A500 nA695 WE3-Pack- 40 C+ 125 CBulk
MIXA20W1200MCIXYSМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Six-Pack XPT IGBTДаSix-Pack1.2 kV1.8 V28 A500 nA100 WECO-PAC2- 40 C+ 125 CBulk

Страницы