Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT50DH170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4122 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4130 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP-1 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
APTGT50SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
FSAM75SM60A | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V -75A SMART POWER MODULE | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 2.4 V | 75 A | 250 uA | 189 W | SPM32-AA | - 20 C | + 125 C | Tube | ||||
MG1250H-XN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 1200 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 260 W | Package H | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MG1250W-XBN2MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Converter Brake Inverter | 1200 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 260 W | Package W | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
MG1750S-BN4MM | Littelfuse | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 75 A | 400 nA | 320 W | Package S | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
BSM50GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 2.2 V | 75 A | 400 nA | 280 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50A | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 1.45 V | 75 A | 400 nA | 175 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF75R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | 395 W | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||
FP50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 400 nA | 270 W | EconoPIM3 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FP50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 75 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP75R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 75 A | 400 nA | 250 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FP75R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 75 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | 385 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FS50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FS50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 75 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FS75R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES 600V | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 600 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | 250 W | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FS75R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | Нет | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 650 V | 1.55 V | 75 A | 400 nA | 250 W | Module | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »