Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C сортировать по убываниюТок утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT50DH170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4122НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50DU120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4130НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H120T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V75 A400 nA270 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT50H170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50SK120TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V75 A400 nA277 WSP4- 40 C+ 100 CTube
APTGT50SK170T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP-1- 40 C+ 150 CTube
APTGT50SK170TGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V75 A400 nA312 WSP4- 40 C+ 100 CTube
A2P75S12M3STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
A2P75S12M3-FSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGEНетSiIGBT Silicon ModulesSixpack1200 V1.95 V75 A500 nA454.5 WACEPACK2- 40 C+ 150 C
FSAM75SM60AON Semiconductor / FairchildМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V -75A SMART POWER MODULEНетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V2.4 V75 A250 uA189 WSPM32-AA- 20 C+ 125 CTube
MG1250H-XN2MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBTНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter1200 V1.9 V75 A400 nA260 WPackage H- 40 C+ 125 CBulk
MG1250W-XBN2MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A IGBTНетIGBT Silicon Modules3-Phase Converter Brake Inverter1200 V1.9 V75 A400 nA260 WPackage W- 40 C+ 125 CBulk
MG1750S-BN4MMLittelfuseМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A IGBTНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1700 V2 V75 A400 nA320 WPackage S- 40 C+ 125 CBulk
BSM50GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V2.2 V75 A400 nA280 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
F3L50R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 50AДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V1.45 V75 A400 nA175 WModule- 40 C+ 150 CTray
FF75R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.15 V75 A100 nA395 W- 40 C+ 150 CTray
FP50R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIMНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.15 V75 A400 nA270 WEconoPIM3- 40 C+ 125 CTray
FP50R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V75 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP75R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V75 A400 nA250 W- 40 C+ 150 CTray
FP75R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V75 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP75R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V75 A100 nA385 W- 40 C+ 150 CTray
FS50R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V1.7 V75 A400 nA270 WEconoPACK 2- 40 C+ 125 CTray
FS50R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V75 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FS75R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES 600VНетIGBT Silicon ModulesHex600 V1.9 V75 A400 nA250 WEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FS75R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650VНетIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter650 V1.55 V75 A400 nA250 WModule- 40 C+ 150 CTray

Страницы