Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF300R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 404 A | 400 nA | 1450 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FF300R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 440 A | 100 nA | 1800 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 930 A | 400 nA | 4.15 kW | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
FP10R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.45 V | 15 A | 400 nA | 20 mW | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||
FS300R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 2.45 V | 375 A | 400 nA | 1650 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FS450R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1700 V | 2.45 V | 605 A | 400 nA | 2250 W | EconoPACK+ | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
FZ600R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KA | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.45 V | 1070 A | 400 nA | 3150 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
APT46GA90JD40 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 900 V | 2.5 V | 87 A | 100 nA | 284 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GF120B2RG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | T-Max-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT50GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.2 kV | 2.5 V | 120 A | 100 nA | 521 W | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
APT50GF120LRG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHS | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 135 A | 100 nA | 781 W | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
APT60GF120JRDQ3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227 | Нет | IGBT Silicon Carbide Modules | Single | 1.2 kV | 2.5 V | 149 A | 100 nA | 625 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||
BSM100GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 150 A | 200 nA | 800 W | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 145 A | 400 nA | 700 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM100GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 150 A | 400 nA | 680 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 210 A | 320 nA | 1.25 kW | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM15GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 25 A | 150 nA | 145 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM15GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 25 A | 150 nA | 145 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM200GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.5 V | 300 A | 200 nA | 1550 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM200GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 290 A | 400 nA | 1.4 kW | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM25GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 35 A | 180 nA | 200 W | EconoPACK 2A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM25GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.5 V | 35 A | 180 nA | 200 W | EconoPACK 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM300GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.5 V | 430 A | 320 nA | 2500 W | 62 mm | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM50GAL120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPER | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 400 nA | 400 W | Half Bridge GAL 1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM50GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 200 nA | 400 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- следующая ›
- последняя »