Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер сортировать по убываниюНепрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF300R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V404 A400 nA1450 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
FF300R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700VНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V440 A100 nA1800 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
FF650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930AДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V930 A400 nA4.15 kWPRIME2- 40 C+ 150 CTray
FP10R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENTДаIGBT Silicon Modules1200 V2.45 V15 A400 nA20 mW- 40 C+ 125 CTray
FS300R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V2.45 V375 A400 nA1650 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FS450R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1700 V2.45 V605 A400 nA2250 WEconoPACK+- 40 C+ 125 CTray
FZ600R17KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.07KAНетIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.45 V1070 A400 nA3150 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
APT46GA90JD40Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, SOT-227НетIGBT Silicon Modules900 V2.5 V87 A100 nA284 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120B2RGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V135 A100 nA781 WT-Max-3- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120JRDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227НетIGBT Silicon Modules1.2 kV2.5 V120 A100 nA521 WSOT-227-4- 55 C+ 150 CTube
APT50GF120LRGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHSНетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V135 A100 nA781 WTO-264-3- 55 C+ 150 CTube
APT60GF120JRDQ3Microchip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227НетIGBT Silicon Carbide ModulesSingle1.2 kV2.5 V149 A100 nA625 WISOTOP-4- 55 C+ 150 CTube
BSM100GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V150 A200 nA800 WHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM100GB120DN2KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V145 A400 nA700 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM100GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V150 A400 nA680 WEconoPACK 3A- 40 C+ 150 CTray
BSM150GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V210 A320 nA1.25 kWHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM15GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V25 A150 nA145 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM15GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V25 A150 nA145 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM200GA120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLEНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.5 V300 A200 nA1550 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
BSM200GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V290 A400 nA1.4 kWHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM25GD120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGEНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V35 A180 nA200 WEconoPACK 2A- 40 C+ 150 CTray
BSM25GD120DN2E3224Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.5 V35 A180 nA200 WEconoPACK 2- 40 C+ 150 CTray
BSM300GA120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLEДаIGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.5 V430 A320 nA2500 W62 mm- 40 C+ 150 CTray
BSM50GAL120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPERНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V78 A400 nA400 WHalf Bridge GAL 1- 40 C+ 150 CTray
BSM50GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V78 A200 nA400 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray

Страницы