Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка сортировать по убыванию
APTGT200A170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7088НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V310 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT200A602GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20007НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP2-18- 40 C+ 100 CBulk
APTGT200DA120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7095НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V300 A400 nA1.05 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7060НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V440 A400 nA1.45 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7032НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V400 A400 nA1.47 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300A60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300DA170D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V400 A400 nA1.47 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300DA60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT300SK60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V400 A400 nA940 WD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400A120D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V580 A400 nA2.1 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400A60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7077НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V500 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400DA60D3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7097НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V500 A400 nA1.25 kWD3-11- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V650 A600 nA1.785 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT400U170D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V800 A400 nA2.08 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT600U120D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7022НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V900 A400 nA2.5 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT600U170D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V1.1 kA400 nA2.9 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT750U60D4GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093НетIGBT Silicon ModulesSingle600 V1.5 V1 kA3.1 uA2.3 kWD4-5- 40 C+ 125 CBulk
APTGT75H60T2GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC20006НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V100 A600 nA250 W- 40 C+ 100 CBulk
APTLGL325A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V420 A1.5 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT300A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V440 A1.4 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT400A608GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V600 A1.25 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
STGIB10CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crctНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.6 V10 A60 WSDIP2B-26L- 40 C+ 125 CBulk
STGIB15CH60TS-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crctНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.6 V15 A75 WSDIP2B-26L- 40 C+ 125 CBulk
STGIB15CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crctНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.6 V15 A75 WSDIP2B-26L- 40 C+ 125 CBulk
STGIF10CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crctНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.6 V10 A26 WSDIP2F-26L- 40 C+ 125 CBulk

Страницы