Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT200A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7088 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 310 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT200A602G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC20007 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP2-18 | - 40 C | + 100 C | Bulk | ||||
APTGT200DA120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7095 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | 1.05 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7060 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 400 nA | 1.45 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7032 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300A60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7085 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA170D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7010 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 400 A | 400 nA | 1.47 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7096 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT300SK60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7080 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | 940 W | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400A120D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7075 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 580 A | 400 nA | 2.1 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400A60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7077 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 500 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400DA60D3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7097 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 500 A | 400 nA | 1.25 kW | D3-11 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 650 A | 600 nA | 1.785 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 800 A | 400 nA | 2.08 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT600U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 900 A | 400 nA | 2.5 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT600U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 1.1 kA | 400 nA | 2.9 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT750U60D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.5 V | 1 kA | 3.1 uA | 2.3 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT75H60T2G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC20006 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | - 40 C | + 100 C | Bulk | |||||
APTLGL325A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 420 A | 1.5 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT300A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 1.4 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 600 A | 1.25 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
STGIB10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 60 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIF10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 26 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »