Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по возрастаниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGLQ600A65T6GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231НетIGBT Silicon ModulesDual650 V1.85 V770 A1 uA2 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6073НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V140 A400 nA480 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100H170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6115НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT100TL170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205НетIGBT Silicon Modules1.7 kV2 V150 A500 nA560 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DH120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6245НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6200НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6104НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150H170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.7 kV2 V250 A600 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6194НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V220 A400 nA690 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6128НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V250 A600 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT150TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V200 A400 nA480 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200A120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6105НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DA120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6109НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DH120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6121НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DH60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6114НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200DU120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6074НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200H120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6075НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200H60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6133НетIGBT Silicon ModulesFull Bridge600 V1.5 V290 A400 nA625 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200SK120GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6160НетIGBT Silicon ModulesSingle1.2 kV1.7 V280 A500 nA890 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT200TL60GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V300 A800 nA652 WSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225A170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225DA170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225DU170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6207НетIGBT Silicon ModulesDual1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube
APTGT225SK170GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6141НетIGBT Silicon ModulesSingle1.7 kV2 V340 A600 nA1.25 kWSP6- 40 C+ 100 CTube

Страницы