Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ600A65T6G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6231 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.85 V | 770 A | 1 uA | 2 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6073 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6115 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT100TL170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6205 | Нет | IGBT Silicon Modules | 1.7 kV | 2 V | 150 A | 500 nA | 560 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT150A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6111 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DH120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6245 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6200 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6104 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150H170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6194 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 690 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6128 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 250 A | 600 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT150TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6188 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 200 A | 400 nA | 480 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT200A120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6105 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200DA120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6109 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200DH120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6121 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200DH60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6114 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200DU120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6074 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200H120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6075 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200H60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6133 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 625 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200SK120G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6160 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 280 A | 500 nA | 890 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT200TL60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6178 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 A | 800 nA | 652 W | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT225A170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225DA170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225DU170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6207 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT225SK170G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6141 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 340 A | 600 nA | 1.25 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »