Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DD1200S12H4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD1200S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODE | Да | Dual Parallel | IHM130 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
DD1200S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD200S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODE | Да | Dual | IHM73 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
DD250S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD400S33KL2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400A | Да | Dual | IHM73 | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||||||||
DD400S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD500S33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD500S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD600S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD750S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD800S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODE | Да | Dual Parallel | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||||
DDB2U30N08VR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A | Да | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 25 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
DDB6U180N16RR_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DDB6U30N08VR | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 26 A | EASY750 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
DDB6U75N16W1R | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A | Нет | Tray | ||||||||||||||
DDB6U75N16W1R_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF120R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF1400R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF160R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF200R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »