Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности сортировать по убываниюУпаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
DD1200S12H4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200VНетTray
DD1200S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODEДаDual ParallelIHM130- 40 C+ 125 CTray
DD1200S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD200S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODEДаDualIHM73- 40 C+ 125 CTray
DD250S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD400S33KL2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400AДаDualIHM73- 40 C+ 125 CTray
DD400S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD500S33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DD500S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500VНетTray
DD600S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500VНетTray
DD750S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500VНетTray
DD800S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODEДаDual Parallel- 40 C+ 125 CTray
DDB2U30N08VRInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25AДаIGBT Silicon ModulesSingle600 V25 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
DDB6U180N16RR_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DDB6U30N08VRInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26AНетIGBT Silicon ModulesSingle600 V26 AEASY750- 40 C+ 125 CTray
DDB6U75N16W1RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605AНетTray
DDB6U75N16W1R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200VНетTray
DF1000R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000AДаTray
DF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF120R12W2H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF1400R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400AДаTray
DF160R12W2H3F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF200R12PT4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF200R12W1H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF300R07PE4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетTray

Страницы