Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DF150R12RT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 150 A | 100 nA | 790 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
DF160R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF200R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF600R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF600R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF75R12W1H4F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF80R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100A | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L200R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L200R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 300 A | 400 nA | 940 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
F3L300R12ME4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12ME4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12MT4_B22 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12MT4_B23 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
F3L300R12PT4_B26 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »