Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
DF150R12RT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V150 A100 nA790 W- 40 C+ 150 CTray
DF160R12W2H3F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF200R12PT4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF200R12W1H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DF300R07PE4_B6Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетTray
DF600R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600AДаTray
DF600R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF650R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650AДаTray
DF75R12W1H4F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF80R12W2H3F_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900AДаTray
DF900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F12-25R12KT4GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25AДаTray
F3L100R07W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100AНетTray
F3L100R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L150R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L15R12W2H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L200R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетTray
F3L200R12W2H3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
F3L300R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V300 A400 nA940 W- 40 C+ 150 CTray
F3L300R12ME4_B22Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
F3L300R12ME4_B23Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200VНетTray
F3L300R12MT4_B22Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L300R12MT4_B23Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
F3L300R12PT4_B26Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray

Страницы