Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
6MS20017E43W37032Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6MS20017E43W38170Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6MS30017E43W38169Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS03012E33G34160Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS04512E43G37986Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS04512E43W39693Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
6PS18012E4FG35689Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
BSM50GX120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетIGBT Silicon Modules3-Phase1200 V2.5 V78 A200 nA400 W- 55 C+ 150 CTray
DD1000S33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000AДаTray
DD1200S12H4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200VНетTray
DD1200S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD250S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD400S45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DD500S33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DD500S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500VНетTray
DD600S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500VНетTray
DD750S65K3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500VНетTray
DD800S33K2CInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODEДаDual Parallel- 40 C+ 125 CTray
DDB6U180N16RR_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
DDB6U75N16W1RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605AНетTray
DDB6U75N16W1R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200VНетTray
DF1000R17IE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000AДаTray
DF1000R17IE4D_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF120R12W2H3_B27Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
DF1400R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400AДаTray

Страницы