Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
6MS20017E43W37032 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6MS20017E43W38170 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6MS30017E43W38169 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6PS03012E33G34160 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6PS04512E43G37986 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6PS04512E43W39693 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
6PS18012E4FG35689 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
BSM50GX120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 1200 V | 2.5 V | 78 A | 200 nA | 400 W | - 55 C | + 150 C | Tray | |||||
DD1000S33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHM-B Module 3300V 1000A | Да | Tray | ||||||||||||||
DD1200S12H4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD1200S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD250S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD400S45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DD500S33HE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD500S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD600S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD750S65K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DD800S33K2C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODE | Да | Dual Parallel | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||||||
DDB6U180N16RR_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
DDB6U75N16W1R | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A | Нет | Tray | ||||||||||||||
DDB6U75N16W1R_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
DF1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A | Да | Tray | ||||||||||||||
DF1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF120R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
DF1400R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »