Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт сортировать по убываниюКонфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF600R12ME4PB72BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF900R12IE4PBOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACKНетTray
FP10R12W1T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP10R12W1T4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP10R12W1T7B3BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP10R12W1T7PB3BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP15R12W1T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP15R12W1T4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP15R12W1T7B11BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP15R12W1T7B3BOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP15R12W1T7PB3BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP25R12KT4B16BOSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетTray
FP25R12W2T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP25R12W2T4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASYНетTray
FP35R12W2T4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULEНетTray
FP35R12W2T4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULEНетTray
FP75R12KT4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетTray
FP75R12KT4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетTray
FS100R12KT4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетAG-ECONO3-4Tray
FS100R12KT4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетAG-ECONO3-4Tray
FS100R12N2T4PBPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетAG-ECONO3-4Tray
FS100R17N3E4PB11BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONOНетTray
FS200R07A5E3S6BPSA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS200R07N3E4RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS215R04A1E3DBOMA1Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray

Страницы