Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология сортировать по возрастаниюПродукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
STGIB20M60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB8CH60S-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Да
STGIB8CH60TS-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.91 V12 A50 WSDIP2B-26- 40 C+ 125 C
STGIB8CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.91 V12 A50 WSDIP2B-26- 40 C+ 125 C
STGIF10CH60TS-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.65 V15 A33 WSDIP2F-26- 40 C+ 175 C
STGIF10CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crctНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.6 V10 A26 WSDIP2F-26L- 40 C+ 125 CBulk
STGIF5CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon ModulesSDIP2F-26L+ 175 CTube
STGIF7CH60TS-ESTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаSDIP2F-26
STGIF7CH60TS-LSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTsНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V1.7 V10 A31 WSDIP2F-26L- 40 C+ 125 C
STGIPL14K60STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Intelligent Pwr Mod 600V 3-Phase IGBTНетIGBT Silicon ModulesSingle44 WSDIP-38L- 40 C+ 150 CTube
STGIPL14K60-SSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBTНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.1 V15 A-44 WSDIP-38L- 40 C+ 150 CBulk
STGIPL20K60STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBTНетIGBT Silicon Modules56 WSDIP-38L- 40 C+ 150 CTube
STGIPL30C60-HSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 30 A, 600 V short-circuit rugged IGBTНетIGBT Silicon Modules
STGIPN3H60STMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT BridgeНетIGBT Silicon ModulesNDIP-26L- 40 C+ 150 CTube
STGIPN3H60ASTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBTНетIGBT Silicon ModulesNDIP-26L- 40 C+ 150 CTube
STGIPN3H60ATSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.6 V3 A8 WNDIP-26L- 40 C+ 150 CBulk
STGIPN3H60T-HSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.15 V3 A-8 WNDIP-26L- 40 C+ 150 CTray
STGIPN3HD60-HSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.15 V3 A7 WNSDIP-L-26- 40 C+ 150 C
STGIPNS3H60T-HSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.15 V3 A6.6 WNSDIP-26L- 40 C+ 150 C
STGIPQ3H60T-HLSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V3 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ3H60T-HLSSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНет
STGIPQ3H60T-HZSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНетIGBT Silicon Carbide ModulesHalf Bridge600 V2.15 V3 AN2DIP-26+ 175 CTube
STGIPQ3H60T-HZSSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridgeНет
STGIPQ3HD60-HLSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridgeДаIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.15 V3 A8 WN2DIP-L-26- 40 C+ 150 C
STGIPQ3HD60-HZSTMicroelectronicsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridgeДаIGBT Silicon Modules3-Phase Inverter600 V2.15 V3 A8 WN2DIP-Z-26- 40 C+ 150 C

Страницы