Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT75TDU60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6525 | Нет | IGBT Silicon Modules | Triple Dual Common Source | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT75TL60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3084 | Нет | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT75X60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3078 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 100 A | 600 nA | 250 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGTQ100A65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8125 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100DA65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8123 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100DDA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100H65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Quad | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ100SK65T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 100 A | 240 nA | 250 W | SP1 | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ150TA65TPG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 150 A | 360 nA | 365 W | SP6-P | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200A65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Dual | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200DA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ200SK65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Single | 650 V | 1.65 V | 200 A | 480 nA | 483 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGTQ50TA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203 | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Hex | 650 V | 1.65 V | 50 A | 120 nA | 125 W | SP3F | - 40 C | + 125 C | Tube | |||
APTGV50H60BT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | Нет | |||||||||||||||
APTLGL325A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 420 A | 1.5 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT300A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 440 A | 1.4 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 600 A | 1.25 kW | LP8 | - 40 C | + 85 C | Bulk | |||||
BSM100GAL120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | 830 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
BSM100GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 200 A | 400 nA | 780 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
BSM100GB120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | 835 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
BSM100GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 150 A | 200 nA | 800 W | Half Bridge2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | Да | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 1200 V | 2.5 V | 145 A | 400 nA | 700 W | Half Bridge1 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
BSM100GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL | Да | IGBT Silicon Modules | Dual | 1700 V | 2.6 V | 200 A | 200 nA | 960 W | 62 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
BSM100GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.95 V | 130 A | 400 nA | 445 W | 32 mm | - 40 C | + 125 C | Tray | ||||
BSM100GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 2.1 V | 160 A | 400 nA | 650 W | EconoPACK 3A | - 40 C | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »