Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.Партномерсортировать по убываниюПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
APTGT75TDU60PGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6525НетIGBT Silicon ModulesTriple Dual Common Source600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP6-P- 40 C+ 100 CTube
APTGT75TL60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3084НетIGBT Silicon Modules600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGT75X60T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3078НетIGBT Silicon Modules3-Phase600 V1.5 V100 A600 nA250 WSP3-32- 40 C+ 100 CTube
APTGTQ100A65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8125Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100DA65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8123Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100DDA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3202Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100H65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3189Нет-IGBT Silicon ModulesQuad650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ100SK65T1GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8124Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V100 A240 nA250 WSP1- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ150TA65TPGMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6546Нет-IGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V150 A360 nA365 WSP6-P- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200A65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3201Нет-IGBT Silicon ModulesDual650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200DA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3199Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ200SK65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200Нет-IGBT Silicon ModulesSingle650 V1.65 V200 A480 nA483 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGTQ50TA65T3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203Нет-IGBT Silicon ModulesHex650 V1.65 V50 A120 nA125 WSP3F- 40 C+ 125 CTube
APTGV50H60BT3GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBTНет
APTLGL325A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.85 V420 A1.5 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT300A1208GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023НетIGBT Silicon ModulesDual1.2 kV1.7 V440 A1.4 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
APTLGT400A608GMicrochip / MicrosemiМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020НетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.5 V600 A1.25 kWLP8- 40 C+ 85 CBulk
BSM100GAL120DLCKInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPERНетIGBT Silicon ModulesSingle1200 V2.1 V205 A400 nA830 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V200 A400 nA780 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB120DLCKInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual1200 V2.1 V205 A400 nA835 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB120DN2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V150 A200 nA800 WHalf Bridge2- 40 C+ 150 CTray
BSM100GB120DN2KInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesHalf Bridge1200 V2.5 V145 A400 nA700 WHalf Bridge1- 40 C+ 150 CTray
BSM100GB170DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUALДаIGBT Silicon ModulesDual1700 V2.6 V200 A200 nA960 W62 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GB60DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUALНетIGBT Silicon ModulesDual600 V1.95 V130 A400 nA445 W32 mm- 40 C+ 125 CTray
BSM100GD120DLCInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V2.1 V160 A400 nA650 WEconoPACK 3A- 40 C+ 125 CTray

Страницы