Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ2400R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ2400R17HP4_B28 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ2400R17HP4_B29 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ2400R17HP4_B9 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ250R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ3600R12HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KW | Нет | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||||
FZ3600R17HE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ3600R17HP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ3600R17HP4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A | Нет | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.25 V | 3600 A | 400 nA | 21 kW | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FZ400R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 400 A | 400 nA | 2400 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FZ400R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ400R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ400R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ500R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ600R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ600R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ600R17KE3_S4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ600R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ600R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 6500V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FZ750R65KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750A | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ800R45KL3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FZ900R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900A | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 900 A | 400 nA | 4300 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FZ900R12KP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A | Да | Tray | ||||||||||||||
IFS100B12N3E4_B31 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 100A | Нет | Tray | ||||||||||||||
IFS100B12N3E4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »