Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FZ2400R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400AДаTray
FZ2400R17HP4_B28Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ2400R17HP4_B29Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400AДаTray
FZ2400R17HP4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400AНетTray
FZ250R65KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500VНетTray
FZ3600R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KWНетIGBT Silicon ModulesTray
FZ3600R17HE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600AНетTray
FZ3600R17HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600AНетTray
FZ3600R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600AНетIGBT Silicon Modules1700 V2.25 V3600 A400 nA21 kW- 40 C+ 150 CTray
FZ400R12KP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.05 V400 A400 nA2400 W- 40 C+ 150 CTray
FZ400R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleНетTray
FZ400R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 1700VНетTray
FZ400R65KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 6500VНетTray
FZ500R65KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500VНетTray
FZ600R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600AДаTray
FZ600R12KP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600AДаTray
FZ600R17KE3_S4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700VНетTray
FZ600R17KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1700VНетTray
FZ600R65KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 6500VНетTray
FZ750R65KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 6500V 750AДаTray
FZ800R45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ900R12KE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.1 V900 A400 nA4300 W- 40 C+ 150 CTray
FZ900R12KP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900AДаTray
IFS100B12N3E4_B31Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MIPAQ BASE 1200V 100AНетTray
IFS100B12N3E4P_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray

Страницы