Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер сортировать по убываниюPd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FP15R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25AНетIGBT Silicon ModulesArray 71200 V25 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP20R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 27AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V27 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600VНетTray
FP20R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаIGBT Silicon ModulesIGBT-Inverter600 V40 A170 WModule- 40 C+ 175 CTray
FP25R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V40 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP25R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP25R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39AНетIGBT Silicon ModulesArray 71200 V39 AEASY2B- 40 C+ 150 CTray
FP30R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIMНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V37 A- 40 C+ 150 CTray
FP30R06W1E3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V37 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP30R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600VНетTray
FP30R06YE3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30AДаTray
FP35R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V35 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP35R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V35 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP35R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V54 AEASY2B- 40 C+ 150 CTray
FP35R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35AДаTray
FP40R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V55 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP40R12KT3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V55 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP50R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60AНетIGBT Silicon ModulesArray 7600 V60 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP50R06W2E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50AДаTray
FP50R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray
FP50R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650VНетTray
FP50R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V75 AEcono 3- 40 C+ 125 CTray
FP50R12KT4G_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200VНетTray
FP50R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V50 AEcono 2- 40 C+ 150 CTray
FP75R06KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesArray 7600 V95 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray

Страницы