Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP15R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 25 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP20R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 27A | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 27 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP20R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | IGBT-Inverter | 600 V | 40 A | 170 W | Module | - 40 C | + 175 C | Tray | ||||||
FP25R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 40 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP25R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP25R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39A | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 39 A | EASY2B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP30R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIM | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 37 A | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||||
FP30R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 37 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP30R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP35R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 35 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP35R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 35 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP35R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 54 A | EASY2B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP35R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP40R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 55 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP40R12KT3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 55 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP50R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A | Нет | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 60 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP50R06W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP50R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP50R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 75 A | Econo 3 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP50R12KT4G_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 50 A | Econo 2 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP75R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 600 V | 95 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »