Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
STGIB10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||||
STGIB10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 60 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB8CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | ||||||
STGIB8CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.91 V | 12 A | 50 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | ||||||
STGIF10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.65 V | 15 A | 33 W | SDIP2F-26 | - 40 C | + 175 C | ||||||
STGIF10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 26 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIF5CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | SDIP2F-26L | + 175 C | Tube | |||||||||||
STGIF7CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.7 V | 10 A | 31 W | SDIP2F-26L | - 40 C | + 125 C | ||||||
STGIPL14K60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Intelligent Pwr Mod 600V 3-Phase IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 44 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||||
STGIPL14K60-S | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.1 V | 15 A | - | 44 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Bulk | ||||
STGIPL20K60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 56 W | SDIP-38L | - 40 C | + 150 C | Tube | |||||||||
STGIPL30C60-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter, 30 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | ||||||||||||||
STGIPN3H60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||||||
STGIPN3H60A | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||||||||
STGIPN3H60AT | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.6 V | 3 A | 8 W | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Bulk | |||||
STGIPN3H60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | - | 8 W | NDIP-26L | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||
STGIPN3HD60-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 7 W | NSDIP-L-26 | - 40 C | + 150 C | ||||||
STGIPNS3H60T-H | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 6.6 W | NSDIP-26L | - 40 C | + 150 C | ||||||
STGIPQ3HD60-HL | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 8 W | N2DIP-L-26 | - 40 C | + 150 C | ||||||
STGIPQ3HD60-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge | Да | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.15 V | 3 A | 8 W | N2DIP-Z-26 | - 40 C | + 150 C | ||||||
STGIPQ8C60T-HZ | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs | Нет | - | IGBT Silicon Modules | Half Bridge | 600 V | 2 V | 8 A | - | 19.2 W | N2DIP-26 | - 40 C | + 125 C | ||||
STGIPS10C60 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 33 W | SDIP-25 | + 125 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »