Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок сортировать по убываниюМинимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FS75R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V107 A100 nA375 W- 40 C+ 150 CTray
FS75R12W2T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаTray
FZ1000R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000AДаTray
FZ1200R12HE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ1200R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200AДаTray
FZ1200R17HE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AНетTray
FZ1200R17HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AНетTray
FZ1200R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200AДаTray
FZ1200R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 3300VНетTray
FZ1200R45KL3_B5Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ1500R33HE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500AДаTray
FZ1600R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1600AНетTray
FZ1600R17HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600AНетTray
FZ1600R17HP4_B2Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600AДаTray
FZ1600R17HP4_B21Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FZ1800R12HE4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800AНетTray
FZ1800R12HP4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800AНетTray
FZ1800R17HE4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800AНетTray
FZ1800R17HP4_B29Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800AДаTray
FZ1800R17HP4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800AНетTray
FZ2400R12HE4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400AНетTray
FZ2400R12HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400AНетTray
FZ2400R12HP4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400AНетTray
FZ2400R17HE4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400AНетTray
FZ2400R17HP4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400AНетTray

Страницы