Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF900R12IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 900 A | PRIME2 | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||||
FF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FF900R12IP4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP06R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FP100R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP100R07N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP100R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 100 A | Econo 3 | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP10R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 20 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP10R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T4_B29 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP10R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP10R12YT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Да | IGBT Silicon Modules | Array 7 | 1200 V | 16 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP10R12YT3_B4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP150R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP150R07N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP15R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FP15R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27A | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 27 A | EASY2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP15R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM Econo2B 1200V, 15A | Нет | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 25 A | Econo 2 | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||||
FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | Да | IGBT Silicon Modules | Hex | 1200 V | 28 A | EASY1B | - 40 C | + 150 C | Tray | |||||||
FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A | Да | Tray | ||||||||||||||
FP15R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module | Нет | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »