Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер сортировать по убываниюPd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FF900R12IE4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF900R12IP4DInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900AДаIGBT Silicon Modules1200 V900 APRIME2- 40 C+ 150 CTray
FF900R12IP4DVInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FF900R12IP4PInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FF900R12IP4VInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FP06R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FP100R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FP100R07N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FP100R12KT4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V100 AEcono 3- 40 C+ 150 CTray
FP10R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600VНетTray
FP10R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V20 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP10R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP10R12W1T4_B29Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FP10R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP10R12YT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesArray 71200 V16 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP10R12YT3_B4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10AДаTray
FP150R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FP150R07N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FP15R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600VНетTray
FP15R12KE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27AДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V27 AEASY2- 40 C+ 125 CTray
FP15R12KT3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM Econo2B 1200V, 15AНетIGBT Silicon ModulesHex1200 V25 AEcono 2- 40 C+ 125 CTray
FP15R12W1T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULEДаIGBT Silicon ModulesHex1200 V28 AEASY1B- 40 C+ 150 CTray
FP15R12W1T4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W1T4_B3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15AДаTray
FP15R12W2T4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT ModuleНетTray

Страницы