Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGT400TL65G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6242 | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 500 A | 1.2 uA | 1.15 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
APTGT400U120D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC7033 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 650 A | 600 nA | 1.785 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT400U170D4G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7019 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 800 A | 400 nA | 2.08 kW | D4-5 | - 40 C | + 125 C | Bulk | ||||
APTGT450A60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC6123 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT450DA60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6197 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT450SK60G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6179 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 600 V | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 1.75 kW | SP6 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50A120T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8022 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50A170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8081 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50A170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4076 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DA120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4132 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DDA120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3089 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3F-32 | - 40 C | + 125 C | Tube | ||||
APTGT50DDA60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3175 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DH120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4090 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DH170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4122 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DH60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8053 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50DU120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4130 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H120T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3148 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 270 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4095 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60RT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3126 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8040 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP1-12 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50H60T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3041 | Нет | IGBT Silicon Modules | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP3-32 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK120TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4081 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 75 A | 400 nA | 277 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50SK170T1G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8074 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP-1 | - 40 C | + 150 C | Tube | ||||
APTGT50SK170TG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC4097 | Нет | IGBT Silicon Modules | Single | 1.7 kV | 2 V | 75 A | 400 nA | 312 W | SP4 | - 40 C | + 100 C | Tube | ||||
APTGT50TA60PG | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6519 | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 176 W | SP6-P | - 40 C | + 100 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »