Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTGLQ80HR120CT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3176 | Нет | IGBT Silicon Modules | Dual Common Emitter | 1.2 kV, 600 V | 2.05 V, 1.5 V | 150 A, 100 A | 240 nA, 600 nA | 500 W, 250 W | - 40 C | + 100 C | Tube | |||||
A1C15S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 15 A | 500 nA | 142.8 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK1 | - 40 C | + 150 C | ||||
A1P50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 2.3 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1 | - 40 C | + 150 C | |||||
A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-1-35 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2C25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 25 A | 500 nA | 197 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Converter Inverter Brake | 1200 V | 1.95 V | 35 A | 500 nA | 250 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2C50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Нет | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 2.3 V | 100 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | Да | IGBT Silicon Modules | CIB | 650 V | 1.95 V | 50 A | 500 nA | 208 W | ACEPACK-2-35 | - 40 C | + 150 C | |||||
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | Нет | Si | IGBT Silicon Modules | Sixpack | 1200 V | 1.95 V | 75 A | 500 nA | 454.5 W | ACEPACK2 | - 40 C | + 150 C | ||||
STGE200NB60S | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp | Нет | Single Dual Emitter | 600 V | 1.2 V | 200 A | 100 nA | 600 W | ISOTOP-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
STGIB10CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB10CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | SDIP2B-26 | - 40 C | + 125 C | |||||||
STGIB10CH60TS-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 10 A | 60 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk | |||||
STGIB15CH60S-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60S-L | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | |||||||||||||||
STGIB15CH60TS-E | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct | Нет | IGBT Silicon Modules | 3-Phase Inverter | 600 V | 1.6 V | 15 A | 75 W | SDIP2B-26L | - 40 C | + 125 C | Bulk |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »