Вы здесь

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Всего результатов: 1300
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.ПартномерПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Продукт Конфигурация сортировать по убываниюНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Непрерывный коллекторный ток при 25 C Ток утечки затвор-эмиттер Pd - рассеивание мощности Упаковка / блок Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Квалификация Упаковка
FP75R12KT4_B15Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75AДаIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V75 A100 nA385 W- 40 C+ 150 CTray
FP75R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)НетTray
FS100R07N2E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R07N2E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650VНетTray
FS100R12KT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100AДаTray
FS100R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS100R17N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS100R17PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100AДаTray
FS10R12YE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16AДаIGBT Silicon ModulesTray
FS150R07N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V150 A400 nA430 W- 40 C+ 150 CTray
FS150R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650VНетTray
FS150R12KT4_B9Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700VНетIGBT Silicon Modules1200 V2.1 V150 A100 nA750 W- 40 C+ 150 CTray
FS150R12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150AДаTray
FS150R17N3E4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS150R17N3E4_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS150R17PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 150AДаIGBT Silicon Modules1700 V1.95 V150 A100 nA835 WEconoPACK- 40 C+ 125 CTray
FS150RE12KE3GInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)ДаTray
FS200R07N3E4R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетTray
FS200R07PE4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650VНетIGBT Silicon Modules650 V1.95 V200 A400 nA600 W- 40 C+ 150 CTray
FS200R12KT4RInfineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200AДаTray
FS200R12KT4R_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1200VНетTray
FS200R12PT4Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200VНетIGBT Silicon Modules1200 V2.15 V280 A400 nA1000 W- 40 C+ 150 CTray
FS20R06W1E3_B11Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600VНетTray
FS20R06XE3Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26AДаIGBT Silicon ModulesTray

Страницы