Всего результатов: 1300
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Технология | Продукт | Конфигурация | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | Ток утечки затвор-эмиттер | Pd - рассеивание мощности | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Квалификация | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FP75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | Да | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | 385 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FP75R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS100R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A | Да | Tray | ||||||||||||||
FS100R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS100R17N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS100R17PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A | Да | Tray | ||||||||||||||
FS10R12YE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A | Да | IGBT Silicon Modules | Tray | |||||||||||||
FS150R07N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 150 A | 400 nA | 430 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FS150R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS150R12KT4_B9 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 150 A | 100 nA | 750 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FS150R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A | Да | Tray | ||||||||||||||
FS150R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS150R17N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS150R17PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 150A | Да | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 1.95 V | 150 A | 100 nA | 835 W | EconoPACK | - 40 C | + 125 C | Tray | |||||
FS150RE12KE3G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Да | Tray | ||||||||||||||
FS200R07N3E4R_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS200R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V | Нет | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 200 A | 400 nA | 600 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FS200R12KT4R | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | Да | Tray | ||||||||||||||
FS200R12KT4R_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1200V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS200R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200V | Нет | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 280 A | 400 nA | 1000 W | - 40 C | + 150 C | Tray | ||||||
FS20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V | Нет | Tray | ||||||||||||||
FS20R06XE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A | Да | IGBT Silicon Modules | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »