Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.Партномерсортировать по убываниюПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Вид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2N2895Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT . .НетTO-182N2895
2N2895/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДа
2N2896Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18NPNSingle90 V0.6 V1 A120 MHz
2N2896Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN Ampl/SwitchНетThrough HoleTO-18NPNSingle90 V140 V7 V0.5 V120 MHz2N2896
2N2904Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V- 65 C+ 200 C
2N2904/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle40 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2904AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-39-3
2N2904ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SSНетThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V60 V5 V2.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C2N2904
2N2904A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2904ALMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-5-3
2N2904AL/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-5-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2905Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8WНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V200 MHz- 65 C+ 200 C
2N2905AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-39-3
2N2905ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SSНетThrough HoleTO-39-3PNPSingle60 V60 V5 V1.6 V0.6 A200 MHz- 65 C+ 150 C2N2905
2N2905A/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJTДаSiThrough HoleTO-205AD-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2906Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8WНетSiThrough HoleTO-18PNPSingle40 V60 V5 V1.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C
2N2906ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SSНетThrough HoleTO-18PNPSingle60 V60 V5 V2.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C2N2906
2N2906ALMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-18-3
2N2906AUAMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаThrough HoleTO-18-3
2N2906AUA/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-4PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2906AUBMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSMD/SMTLCC-3
2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiSMD/SMTLCC-3PNPSingle60 V60 V5 V0.4 V600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP SiliconНетThrough HoleTO-18PNP40 V60 V5 V1.6 V0.6 A200 MHz- 65 C+ 150 C2N2907
2N2907AMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT BJTsДаSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V400 mV600 mA- 65 C+ 200 C
2N2907ARectronБиполярные транзисторы - BJT TO-18НетSiThrough HoleTO-18-3PNPSingle60 V60 V5 V2.6 V600 mA200 MHz- 65 C+ 200 C

Страницы