Вы здесь

Биполярные транзисторы - BJT

Всего результатов: 7541
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Сбросить
Начинается с

Страницы

Изобр.Партномерсортировать по убываниюПроизводительОписаниеDatasheetRoHSТехнология Вид монтажа Упаковка / блок Полярность транзистора Конфигурация Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Напряжение коллектор-база (VCBO) Напряжение эмиттер-база (VEBO) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Максимальный постоянный ток коллектора Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Серия
2DD1766P-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32VceoНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle32 V40 V5 V800 mV2 A220 MHz- 55 C+ 150 C2DD17
2DD1766Q-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32VceoНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle32 V40 V5 V2 A220 MHz- 55 C+ 150 C2DD17
2DD1766R-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 1000W 32VceoНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle32 V40 V5 V800 mV2.5 A220 MHz- 55 C+ 150 C2DD17
2DD2098R-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT 1W 25VНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle20 V50 V6 V1 V10 A220 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2DD2652-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT LOW VSAT NPN SMT 3KНетSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle12 V15 V6 V200 mV3 A260 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2DD2656-7Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT LOW VSAT NPN SMT 3KНетSMD/SMTSOT-323-3NPNSingle30 V30 V6 V350 mV2 A270 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2DD2661-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5KНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle12 V15 V6 V180 mV4 A170 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2DD2678-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5KНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle12 V15 V6 V250 mV3 A170 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2DD2679-13Diodes IncorporatedБиполярные транзисторы - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5KНетSMD/SMTSOT-89-3NPNSingle30 V30 V6 V370 mV4 A240 MHz- 55 C+ 150 C2DD2
2N1016BMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough Hole
2N1016CMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough Hole
2N1016DMicrochip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough Hole
2N1131Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT 50Vcbo 50Vcer 35Vceo 0.6A Ic 2.0W PNPНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle35 V50 V5 V1.5 V0.6 A50 MHz- 65 C+ 200 C
2N1131ACentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 150mA 45pFНетSiThrough HoleTO-39-3PNPSingle40 V60 V5 V1.5 V90 MHz2N657
2N1131BCentral SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT PNP Gen Amp/Switch 40Vceo 50VcboНетTO-39-32N657
2N1209Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT NPN TransistorДа
2N1212Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT NPN TransistorДа
2N1479Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough HoleTO-5-3
2N1479Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN SS PowerНетThrough HoleTO-39-3NPNSingle40 V60 V6 V1.4 V1.5 A1.5 MHz- 65 C+ 200 C2N1479
2N1480Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN SS PowerНетThrough HoleTO-39-3NPN55 V100 V6 V1.4 V1.5 A1.5 MHz- 65 C+ 200 C2N1480
2N1481Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough HoleTO-5-3
2N1481Central SemiconductorБиполярные транзисторы - BJT NPN SS PowerНетThrough HoleTO-39-3NPN40 V60 V6 V1.4 V1.5 A1.5 MHz- 65 C+ 150 C2N1481
2N1482Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough HoleTO-5-3
2N1483Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough HoleTO-8-3
2N1484Microchip / MicrosemiБиполярные транзисторы - BJT Power BJTДаThrough HoleTO-8-3

Страницы