Всего результатов: 904
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Вид монтажа | Упаковка / блок | Серия | Размер памяти | Тип интерфейса | Организация | Тип синхронизации | Ширина шины данных | Напряжение питания - мин. | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - макс. | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
W29N04GZBIBF TR | Winbond | Флеш-память NAND 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, x8 | Нет | SMD/SMT | VFBGA-63 | W29N04GZ | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Reel | |||
S34ML04G100BHA000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | |||
S34ML04G100BHB000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G100BHV000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G100TFA000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | |||
S34ML04G100TFV000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G200BHA000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | |||
S34ML04G200BHB000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G200BHV000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G200TFA000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | |||
S34ML04G200TFB000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34ML04G200TFV000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34MS04G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | |||
S34MS04G200BHA000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
S34MS04G200BHB000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | ||
S34MS04G200BHV000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | BGA-63 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 105 C | Tray | ||
S34MS04G200TFI000 | SkyHigh Memory | Флеш-память NAND Nand | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | S34MS04G2 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Asynchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 20 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||
TC58BVG2S0HBAI4 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TFBGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||||
TC58BVG2S0HTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | ||||
TC58BVG2S0HTAI0 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | ||||
TC58BYG2S0HBAI4 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TFBGA-63 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 1.7 V | 1.95 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray | |||
TC58CVG2S0HRAIG | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm Serial NAND | Нет | SMD/SMT | WSON-8 | TC58CV | 4 Gbit | SPI | 512 M x 8 | 2.7 V | 3.6 V | - 40 C | + 85 C | Tray | |||||
TC58CYG2S0HRAIG | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm Serial NAND | Нет | SMD/SMT | WSON-8 | TC58CY | 4 Gbit | SPI | 512 M x 8 | 1.7 V | 1.95 V | - 40 C | + 85 C | Tray | |||||
TC58NVG2S0FTA00 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 4Gb 32nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | TSOP-48 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | Synchronous | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | 0 C | + 70 C | Tray | |||
TC58NVG2S0HBAI6 | Toshiba Memory | Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | Нет | SMD/SMT | VFBGA-67 | 4 Gbit | Parallel | 512 M x 8 | 8 bit | 2.7 V | 3.6 V | 30 mA | - 40 C | + 85 C | Tray |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »