Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP4N70X2M | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTX2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTP76N25TM | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTP80N12T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | Through Hole | TO-220AB-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ130N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ3N150M | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 30 V | Through Hole | OVERMOLDED-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTQ60N10T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 30 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ60N20T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTQ86N25T | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench Gate | 20 V | Through Hole | TO-3P | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTR102N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTNX2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | ISOPLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT140N075L2HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT2N300P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT34N65X2HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTT3N200P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | SMD/SMT | TO-268HV-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTU4N70X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTX120N65X2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTX1R4N450HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTX240N075L2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 | Нет | Power MOSFET Modules | Linear L2 | 20 V | Through Hole | PLUS247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTX4N300P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTX660N04T4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchGate-Gen4 | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | ||||||
IXTX6N200P3HV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR3 | Нет | Power MOSFET Modules | High Voltage | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | |||||
IXTY90N055T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH110N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH140N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »