Всего результатов: 1775
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »
Изобр. | Партномер | Производитель | Описание | Datasheet | RoHS | Продукт | Тип | Vf - прямое напряжение | Vr - обратное напряжение | Vgs - напряжение затвор-исток | Вид монтажа | Упаковка / блок | Минимальная рабочая температура | Максимальная рабочая температура | Серия | Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTY08N100D2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY08N100D2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Depletion Mode | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY08N100P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY08N100P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY08N50D2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY08N50D2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Depletion Mode | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY18P10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY18P10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1N100P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY1N100P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1N120PTRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | ||||||
IXTY1N80P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY1N80P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1R4N120P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY1R4N120P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1R4N120PHV | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC MOSFET N-CH STD-POLAR | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1R6N100D2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY1R6N100D2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Depletion Mode | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY1R6N50D2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Depletion Mode | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY26P10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY26P10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY2N100P-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY2N100P TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Polar | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY32P05T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY32P05T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY44N10T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY44N10T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Trench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTY48P05T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY48P05T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchP | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | |||||
IXTY4N65X2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY4N65X2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | X2-Class | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | X2-Class | Reel | ||||
IXTY64N055T-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY64N055T TRL | Нет | Power MOSFET Modules | TrenchMV | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXTY90N055T2 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXTY90N055T2-TRL | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули IXTY90N055T2 TRL | Нет | Power MOSFET Modules | Trench T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | |||||
IXXH110N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH140N65B4 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power Semiconductor Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH30N65C4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Diode Power Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | |||||
IXXH40N65B4D1 | IXYS | Дискретные полупроводниковые модули DISC IGBT XPT-GENX4 | Нет | Power MOSFET Modules | GenX4 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube |
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »